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DM公司高纯二氧化硅靶材 纳米二氧化硅,高纯二氧化硅颗粒5N

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元素符号:Si
原 子 :28.0855
熔 点:1410℃
沸 点:2355℃
密 度:3.42g/cm3
折 射 率:3.42
电 阻 率/μΩ.cm:500
线膨胀系数/℃-1:3.0×10-6
蒸发温度:饱和蒸汽压1.33Pa时1350℃
蒸发源材料:Be、ZrO2、ThO2、C(坩埚)
主要用途:主要用于制造整流器、二极管、晶体管、光电池、太阳能电池、原子能电池、红外线探测器、以及电子致冷等半导体器件。
分析报告:(99.99%)in ppm
元素 检测值ppm 元素 检测值ppm 元素 检测值ppm
Iron (Fe) 35 Copper(Cu) <20 Nickel (Ni) <10
Chromium (Cr) <20 Manganese (Mn) 14 Aluminium(Al) 16
Titanium(Ti) 22

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