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P234CS24台湾应广单片机

P234CS24台湾应广单片机

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P234CS24 台湾应广 一级 现货批发 供应

  ADCLCD控制、采用FPPTTM技术、

双核心8位单片机

 

P234替代义隆EM78P418EM78P346HOLTEKHT46R066HT46R0662HT46R067

 IC内部资源整合丰富,性价比势明显。

 

P234
〓带ADCLCD 控制
采用FPPATM技术双核心8 位单片机

 

1.单片机特点

 

1.1 高性能RISC CPU 架构
 
内置2 FPPATM处理单元
4Kx16 bits OTP 程序存储器
200 Bytes 数据存储器
提供100 条指令
除间接寻址模式外的所有指令都是单周期(1T)指令
跳转指令是单周期指令
弹性化的堆栈深度,可程序设定
提供数据与指令的直接、间接寻址模式
提供位(Bit)处理指令
所有的数据存储器都可当数据指(indexpointer
程序代码保护功能
独立的IO 地址以及存储地址,方便程序开发

 

1.2 系统功能

 

时钟源:内部高频RC 振荡器(IHRC)、内部32kHz 振荡器(ILRC)、外部晶振
内置高频RC 振荡器
内置上电复位和4 级低电压检测器(LVD)以确保可工作的电压
内置一个硬件16 位计数器
内置一个硬件8 位计数器并可提供PWM 模式输出
内置一个11 通道 12 位分辨率 A/D 转换器,其中1 通道是Band-gap 定电压输入
内置Band-gap 定电压产生器,提供1.20±0.15V 参考电压
内置一个硬件比较器,提供外部输入、内部参考电压比较
内置VDD/2 偏置电压产生器供液晶显示应用
多提供4x16 LCD 显示
提供快速开机与普通开机两种模式
提供快速唤醒与普通唤醒两种模式
22 IO 引脚,每一IO 引脚具有12mA 电流驱动能力

 

抗能力强(high EFT 
工作频率 (晶振模式和内置高频RC 振荡模式)
DC ~8MHz@VDD4V  DC ~4MHz@VDD3V
DC ~2MHz@VDD2.5V DC ~1MHz@VDD2.2V
工作电压:2.2V ~ 5.5V
工作温度:-40°C ~ 85°C
低功耗特性:
Ioperating ~1.2mA@1MIPS,VDD=5.0V;  Ioperating ~ 40uA@ VDD=3.3V, ILRC ~ 16KHz
Istandby ~1uA@VDD=5.0V; Istandby ~0.5uA@VDD=3.3V
封装类型
P234CS20: SOP20 (300mil), P234CD20: DIP20 (300mil), P234CSS20: SSOP20(150mil)
P234CS24: SOP24 (300mil), P234CK24: SK-DIP24 (300mil)

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