供应AP5161车灯驱动芯片大功率恒流驱动

深圳世微半导体推出各种类型的方案升压方案  降压方案 恒流方案 DC-DC方案 AC-DC方案  ：13530846306 蔡生  QQ: 2355558461           
典型应用电路图DRVVSNVSPVSSVDDAP5161VINRCS图1：AP5161典型应用电路图1（芯片VDD由输入取电）概述AP5161是高精度降压型大功率LED恒流驱动芯片。适用于输入电压100V以内的大功率LED恒流驱动电源。利的高端电流检测、固定频率、电流模PWM控制方式，具有异的线性调整率和负载调整率。芯片采用的特有恒流控制方式，使得LED输出电流精度达到±3%以内。芯片内部集成的抖频功能可降低EMI成本。内置环路补偿与斜坡补偿，无需外部补偿，应用设计简单。芯片典型工作频率约200KHz。AP5161采用SOT23-5封装。特点高端电流检测输出电流：小于3A输入电压：6~100VLED均值电流控制：恒流效果好LED输出电流精度：±3%：高可达95%以上电流模PWM控制固定工作频率抖频功能内置环路补偿、斜坡补偿芯片供电欠压/过压保护 AP5161SHIWEI SEMICONDUCTOR Co.,LTD. 深圳市世微半导体有限公司 0755-86248636/29977358管脚定义管脚号管脚名称管脚类型描述1VSP输入接电流采样电阻正电位端2VDD电源芯片电源3VSN输入接电流采样电阻负电位端4DRV输出输出驱动端，接MOS管栅极5VSS地芯片地内部电路方框图电流检测1.3VOSC斜坡补偿频率抖动PWM逻辑UVLOLEBBG1.3VVDDDRVVSSVSPVSN 图3：AP5161第部电路方框图 AP5161SHIWEI SEMICONDUCTOR Co.,LTD. 深圳市世微半导体有限公司 0755-86248636/29977358封装及管脚分配DRVVSP VDD VSNVSS1 2 35 4极限参数（注1）参数符 号描述小值大值单位电压VMAX所有管脚大电压值-0.36V电流IVDD_MAXVDD引脚大电源电流15mAIDRV_MAXDRV引脚大电流500mA功耗PSOT23-5SOT23-5封装的大功耗0.25W温度TJ结温范围-20125oCTA工作范围-2085oCTSTG存储温度范围-40120oCTSD焊接温度范围（焊接时间少于30秒）230240oCESDVESD静电耐压值（人体模型）2000V注1：超过上表中规定的极限参数会导致器件性损坏，而工作在以上极限条件下可能会影响器件的可靠性。 AP5161SHIWEI SEMICONDUCTOR Co.,LTD. 深圳市世微半导体有限公司 0755-86248636/29977358电特性 除非特别说明， TA =25 oC参数符号测试条件小值典型值大值单位电源电压工作电压VDD5V启动电压阈值VDD_ONVDD上升4.855.2V欠压保护阈值VDD_UVLOVDD下降3.844.2V钳位电压VDD_CLAMP5.5V电源电流启动电流ISTARTUPVDD =4V10uA静态电流ISTANDBY0.7mA电感电流采样电流检测电阻 两端电压均值VSEN194200206mV限流值VSEN_LMT520mV前沿消隐时间TLEB200nsOSC工作频率典型工作频率FOSC200KHz抖频范围ΔFOSC-33%输出驱动上升时间TRCL=1nF60ns下降时间TFCL=1nF60nsAP5161SHIWEI SEMICONDUCTOR Co.,LTD. 深圳市世微半导体有限公司 0755-86248636/29977358应用指南概述AP5161是高精度降压型大功率LED恒流驱动芯片。输出电流可达3A以上。 芯片采用利的高端电流检测、固定频率、电流模PWM控制方式，具有异的线性调整率和负载调整率。 芯片内置频率补偿与斜坡补偿，无需外部补偿。AP5161还集成了抖频功能，以改善系统的EMI特性。 AP5161内部集成了多重保护功能，包括LED短路保护，逐周期限流保护，输入供电欠压保护及电源箝位等功能。LED工作电流设定LED电流由接在VSP与VSN引脚之间的电阻RCS设置： SENLEDCSVIR= 其中，VSEN典型值为200mV。电感选择在输入电压、输出电压以及输出电流已定的条件下，电感值决定了电感电流纹波大小以及连续或非连续工作模式。工作于临界模式时的电感值为： *()2**LEDVoViVoLcriViIfs−= 当采用无输出电容的方案时，应选择稍大的电感值，以使得电感电流工作在连续模式，减小LED上的电流纹波。当LED两端并联有输出电容时，系统既可以工作在连续模式也可以工作在非连续模式。芯片供电芯片在TOFF期间通过启动电阻或者辅助供电电阻对芯片供电。应合理选择供电电阻的取值，保供电电流大于芯片工作电流，同时供电电流也不宜过大，否则会超过芯片电源引脚的箝位能力并可能导致芯片过热。一般地，当输入电压变化范围不大时可采用图1所示方案供电（由输入取电），而当输入电压变化范围较大时应采用图2所示方案供电（由输出辅助供电）。PCB设计在设计PCB时应遵循以下指南： (1)旁路电容 VDD的旁路电容需要紧靠芯片的VDD和VSS引脚。 (2)地线 电流采样引脚VSN需要用单独的走线连接至电流采样电阻的一端。芯片地以及其它地应分头接到旁路电容的地端。 (3)功率环路 减小功率环路的面积，可减小EMI辐射。 AP5161SHIWEI SEMICONDUCTOR Co.,LTD. 深圳市世微半导体有限公司 0755-86248636/29977358DRVVSNVSPVSSVDDAP5161VINRCS 图1：AP5161典型应用电路图1（芯片VDD由输入取电） DRVVSNVSPVSSVDDAP5161VINRCS 图2：AP5161典型应用电路图2（芯片VDD由输出辅助供电） AP5161SHIWEI SEMICONDUCTOR Co.,LTD. 深圳市世微半导体有限公司 0755-86248636/29977358封装信息SOT-23-5封装尺寸图： AP5161SHIWEI SEMICONDUCTOR Co.,LTD. 深圳市世微半导体有限公司 0755-86248636/29977358