双向触发二级管DB3(玻璃封装)现货

封装：DO-35
极限参数：
符号Parameters 参数Value 数值Units单位DB3DC34DB4DB6PcPower Dissipation on Printed Circuit(L=10mm)印刷线路板（长=10毫米）=10mm) 功耗TA=50150mWITRMRepetitive Peak in-state Current 反向重复峰值电流tp=10us F=100Hz2.02.02.01.6ATSTG/TJStorage and Operating Junction Temperature存储和工作结温-40 to +125/-40 to 110℃
电气特性数据：
Symbols 符号Parameters 参数Test Conditions 测试条件Value数值Units单位DB3DC34DB4DB6VBOBreakover Voltage(Note 2) 转折点电压c=22nF See diagram1 见表小28303556v典型32344060大36384570|+VBO|- |-VBO|Breakover Voltage Symmetry 转折点电压对称性c=22nF大 小± 3± 4V510|±△V|Dynamic Breakover Voltage(Note 1) 动态转折点电压I=(IBO to IF=10mA) See diagram1VoOutput Voltage(Note 1) 输出电压See diagram2小5VIBOBreakover Current(Note 1) 转折点电流c=22nF大100μAtrRise Time(Note 1) 上升时间See Diagram 3典型1.5μSIBLeakage Current(Note 1) 泄漏电流VB=0.5 VBO max大10μA
瓦                          图1 电压-电流特性                                图2 测试电路图                      图3：测试电路特性 Ip=0.
                图4 耗散功率与环境温度曲线（高值）                      图5 相对变化的VBO与juntion 温度（典型值）           图6 峰值脉冲电流与脉冲持续时间图形（大值）


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崇-阳の光   16:13:45
MB6S，是一种SMD 式器件，采用SOIC 封装方式。 　　相数:单相 　　电压, Vrrm:600V 　　电流, If 平均:0. 　　正向电压 Vf 大:1V 　　功耗, Pd:1.4W 　　安装类型:SMD 　　封装类型:SOIC 　　脚数:4 　　外宽:4.9mm 　　外部深度:4.2mm 　　外部长度/高度:3mm 　　封装类型:SOIC 　　电流, Ifs 大:3 　　相数:1 　　表面安装器件:表面安装 　　输入电压 有效值:420V 　　封装形式:SOIC