达林顿贴片三极管,达林顿三极管

产品详情

	国产	型号	BTA26600B
应用范围	达林顿	功率特性	大功率
频率特性	高频	极性	PNP型
结构	面接触型	材料	硅(Si)
封装形式	贴片型	封装材料	金属封装
营销方式		产品性	热销

【产品展示】

【产品说明】

三极管的主要参数
1、直流参数
（1）集电极一极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一极的反向饱和电流。良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。
（2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大，它们是衡管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。
（3）发射极---极反向电流Iebo 集电极开路时，在发射极与极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。
（4）直流电流放大系数β1（或hEF）这是指共发射接法，没有交流输入时，集电极输出的直流电流与极输入的直流电流的比值，即：
β1=Ic/Ib
2、交流参数
（1）交流电流放大系数β（或hfe）这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化△Ic与极输入电流的变化△Ib之比，即：
β= △Ic/△Ib
一般晶体管的β大约在10-200之间，如果β太小，电流放大作用差，如果β太大，电流放大作用虽然大，但性能往往不稳定。
（2）共极交流放大系数α（或hfb）这是指共接法时，集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化△Ie之比，即：
α=△Ic/△Ie
因为△Ic＜△Ie，故α＜1。高频三极管的α＞0.90可以使用
α与β之间的关系：
α= β/（1+β）
β= α/（1-α）≈1/（1-α）
（3）截止频率fβ、fα 当β下降到低频时0.707倍的频率，是共发射极的截止频率fβ；当α下降到低频时的0.707倍的频率，是共极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数，它们之间的关系为：
fβ≈（1-α）fα
（4）特征频率fT因为频率f上升时，β下降，当β下降到1时，对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数。
3、极限参数
（1）集电极大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2，这时的Ic值称为ICM。所以当Ic超过ICM时，虽然不致使管子损坏，但β值显著下降，影响放大。
（2）集电极----极击穿电压BVCBO 当发射极开路时，集电结的反向击穿电压称为BVEBO。
（3）发射极-----极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时，发射结的反向击穿电压称为BVEBO。
（4）集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当极开路时，加在集电极和发射极之间的大允许电压，使用时如果Vce＞BVceo，管子会被击穿。
（5）集电极大允许耗散功率PCM 集电流过Ic，温度要升高，管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的大集电极耗散功率称为PCM。管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积，即Pc=Uce×Ic.使用时庆使Pc＜PCM。
PCM与散热条件有关，增加散热片可提高PCM。

【公司简介】

深圳市联通达电子有限公司成立于2004年,前身是从事营销电子元器件近10年余的广东联通电子电子有限公司.公司于如ST、KEC、TOSHIBA、MOTOROLA、PHILIPS等元器件的批发经营，产品主要包括各种DIP/SMD封装的二、三极管、可控硅、三端稳压、集成电路,广泛运用于民用、工、事等不同领域,库存雄厚，原装，价格惠。

公司全体员工本着,信誉的服务宗旨,坚持热情、诚信、心、负责“的工作理念，竭力为广大客户提供价格合理的产品，迅速便捷的交货服务。

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