，耐高温晶振，石英晶振，西铁城晶振

	西铁城晶振	型号	西铁城晶振
种类	谐振器	标称频率	498（MHz）
调整频差	94（MHz）	温度频差	84（MHz）
总频差	894（MHz）	负载电容	89（pF）
负载谐振电阻	489（Ω）	插入损耗	98（dB）
阻带衰减	489（dB）	输入阻抗	48（kΩ）
输出阻抗	84（kΩ）

每个单片机体系里都有晶振，全程是叫晶体震动器，在单片机体系里晶振的作用非常大，他联合单片机内部的电路，发生单片机所必需的时钟频率，单片机的所有指令的履行都是树立在这个本上的，晶振的供给的时钟频率越高，那单片机的运行速度也越快。

晶振用一种能把电能和机械能互相转化的晶体在共振的状况下任务，以供给稳固，正确的单频振荡。在通常任务条件下，普通的晶振频率精度可达百万分之五十。高等的精度更高。有些晶振还可以由外加电压在肯定规模内调剂频率，称为压控振荡器（VCO）。

晶振的作用是为体系供给本的时钟。通常一个体系共用一个晶振，便于各局部维持同步。有些通信体系的频和射频应用不同的晶振，而通过电子调剂频率的方法维持同步。

晶振通常与相环电路配合应用，以供给体系所需的时钟频率。假如不同子体系须要不同频率的时钟，可以用与同一个晶振相连的不同相环来供给。

晶振一般采取如图1a的电容三端式(考毕兹)交换等效振荡电路；实践的晶振交换等效电路如图1b，其中Cv是用来调理振荡频率，一般用变容二极管加上不同的反偏电压来完成，这也是压控作用的机理；把晶体的等效电路替代晶体后如图1c。其中Co，C1，L1，RR是晶体的等效电路。

剖析全部振荡槽路可知，应用Cv来转变频率是有限的：抉择振荡频率的全部槽路电容C=Cbe,Cce,Cv三个电容串联后和Co并联再和C1串联。可以看出：C1越小，Co越大，Cv变更时对全部槽路电容的作用越小。因此能“压控”的频率规模也越小。实践上，因为C1很小(1E-15级)，Co不能疏忽(1E-12级，几PF)。所以，Cv变大时，下降槽路频率的作用越来越小，Cv变小时，升高槽路频率的作用却越来越大。这一方面引起压控特征的非线性，压控规模越大，非线性越凶猛；另一方面，分给振荡的反应电压(Cbe上的电压)却越来越小，后招致停振。采取泛音次数越高的晶振，其等效电容C1越小；因此频率的变更规模也越小。

微掌握器的时钟源可以分为两类：于机械谐振器件的时钟源，如晶振、陶瓷谐振槽路；RC（电阻、电容）振荡器。一种是皮尔斯振荡器配置，实用于晶振和陶瓷谐振槽路。另一种为简朴的分立RC振荡器。

用万用表测晶体振荡器能否任务的方法：测两个引脚电压能否是芯片任务电压的一半，比方任务电压是51单片机的+5V则能否是2.5V左右。另外假如用镊子碰晶体另外一个脚，这个电压有显著变更，实是起振了的。