台湾光宏大功率LED芯片EP-B3030D-A3（蓝光）双电极

目的

 本規格書針對光鋐科技之 30milInGaN藍光LED 晶粒 (EP-B3030D –A3)之相

關本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。

产品特性

本產品為標準藍寶石板(Sapphire substrate)之InGaNLED單面雙電極結

構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN之歐姆接觸層(Ohmiccontact

layer)，並以2um Au 金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。

外观尺寸

长度:710±30um
宽度: 710±30um
厚度: 2±0.2um
焊垫直径: 100±10um
焊垫厚度:150±10um

光电特性

Test parameter

Condition

Min

Typ

Max

Unit

Dominant wavelength(Wd)

300mA

445

-

475

nm

Radiant intensity(I)

300mA

150

-

410

mW/sr

Forward voltage(Vf4)

10uA

1.9

-

2.5

V

Forward voltage(Vf1)

350mA

2.8

-

3.8

V

Reverse current (Ir)

-5V

0

-

2

uA