氮化铝陶瓷具有良的导热性(为氧化铝陶瓷的5-10倍),较低的介电常数和介损耗,可靠的绝缘性能,良的力学性能,无,耐高温,耐化学腐蚀,且与硅的热膨胀系数相近,作为新一代的陶瓷材料,越来越受到人们的关注和重视。我司生产的氮化铝陶瓷,品国内同类产品,具有水平,广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行。
AlN陶瓷片主要性能指标 | |
性能内容 | 性能指标 |
热导率(W/m·k) | ≥170 |
体积电阻率(Ω·cm) | >1013 |
介电常数[1MHz,25℃] | 9 |
介电损耗[1MHz,25℃] | 3.8х10-4 |
抗电强度(KV/mm) | 17 |
体积密度(g/cm3) | ≥3.30 |
表面粗糙度Ra(µm) | 0.3~0.5 |
热膨胀系数[20℃ to 300℃](10-6/℃) | 4.6 |
抗弯强度(MPa) | 320~330 |
弹性模(GPa) | 310~320 |
莫氏硬度 | 8 |
吸水率(%) | 0 |
翘曲度(~/25(长度)) | 0.03~0.05 |
熔点 | 2500 |
外观/颜 | 灰白 |