微观结构 | 单晶 | 特性 | 半导体陶瓷 |
规格尺寸 | 350(mm) | 功能 | 绝缘装置陶瓷 |
树型 | 属性值 |
氮化铝的特性
具有较高的室温强度,膨胀系数小,导热性能高,可以用作制作高温部件,而且透光性强,可用于制作半透明陶瓷。还可用于要求高强度,高导热场合,如大规模集成电路板,半导体元件。另外,ALN镀膜可制成高频压电元件,超大规模的集成电路片式ALN陶瓷当前主要的用途。
高性能导热功能
机械强度良好
耐冲击性,耐腐蚀性
制作:大尺寸¢350
常规保有尺寸:¢300,¢150与5-200cc坩埚尺寸
绿加工处理,减少后加工
Properties | Unit | ALN |
Bulk Density | g/cm3 | >3.27 |
Flexural Strength | MPa | 350 |
Poisson’s Ratio | - | 0.24 |
Vickers Hardness | GPa | 13 |
Thermal Expansion Coefficient(RT-800℃) | *10-6/℃ | 5.5 |
Thermal Conductivity(RT) | W/m•K | 160 |
Specific Heat | J/g•K | 0.72 |
Volume Resistivity | ?•cm | 1014 |
苏州同然新材料科技有限公司/曹锦霞
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