反应离子刻蚀及等离子体沉积系统

BM8-II是定义反应离子刻蚀（RIE）及等离子体增强化学气相沉积 （PEVCD）等离子处理新概念的等离子处理系统。BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统于模块化设计制造，采用通用的真空处理舱及机柜。等离子处理系统采用平板式电极、反应离子刻蚀（RIE）电极及等离子体增强化学气相沉积 （PEVCD）电极模块化设计理念，方便整体系统的组装及配置。BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统-应用于系统建造的高处理模块，BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统满足广泛的等离子处理工艺条件，无论是复杂的亚微米级反应离子刻蚀 （RIE）还是高等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）薄膜的沉积。以下是我们，BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统的典型工艺处理应用，与众多客户群的紧密协作，我们开发出内认可的工艺程序，保系统满足用户所需。用于生产制造的系统设备均采用高的部件，保，BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统提供大可能的正常运行时间、 可靠性、重复性及耐用性。 故障分析应用（Failure analysis）材料改性（Material modification）粘合促进等离子descum表面处理（Surface treatment）各向异性各项同性及刻蚀（Anisotropic and isotropic etching）金属刻蚀（Metal etching）Si02（二氧化硅）, Si3N4 （氧化硅）及 SiOxNy（氮氧化矽）薄膜沉积II-V 刻蚀应用（III-V etching）沟槽刻蚀（Trench etching）钝化层刻蚀（Passivation etching）聚酰亚刻蚀（Polyimide etching ）亚纳米级刻蚀（Submicron etching）如果您对GIK反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统感兴趣，请联系我们索取更详尽资料！极科有限公司(材料科学部)