无锡固电ISC三极管MJ11011
- 型 号： MJ11011
- 品 牌：ISC
- 价 格：≥1000：20.00元/PCS
- 产 能：大量供应
- 起订：1
- 交货期：7天
- 发布：无锡固电半导体股份有限公司
- 联系人：缪俊炎员
- 主营：三极管
- 电话：8651085346680/853469
- 手机：15961889158
- 地址：中国江苏无锡市新区新梅路68号
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产品详情
| 是否提供加工 | 是 | ISC | |
| 型号 | MJ11011 | 应用范围 | 达林顿 |
| 材料 | 硅(Si) | 极性 | PNP型 |
| 结构 | 平面型 | 封装形式 | TO-3 |
| 封装材料 | 塑料封装 | ||
iscSilicon PNP Darlington Power TransistorDESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min.)·High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min.)@IC= -20A·LowCollector Saturation Voltage-: VCE (sat)= -3.0V(Max.)@IC= -20A·Complement to Type MJ11012 APPLICATIONS·Designed for use as output devices in complementary general pure amplifier applications.
Absolute maximum ratings (Ta=25℃)
SYMBOL | PARAMETER | VALUE | UNIT |
VCBO | Collector-Base Voltage | -60 | V |
VCEO | Collector-Emitter Voltage | -60 | V |
VEBO | Emitter-Base Voltage | -5 | V |
IC | Collector Current-Continunous | -30 | A |
ICM | Collector Current-Peak | -50 | A |
IB | Base Current-Continunous | -1 | A |
PC | Collector Power Dissipation@TC=25℃ | 200 | W |
Tj | Junction Temperature | 200 | ℃ |
Tstg | StorageTemperature Range | -65~+200 | ℃ |
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