
| 是否提供加工 | 是 | ISC | |
| 型号 | 2SD1071 | 应用范围 | 达林顿 |
| 材料 | 硅(Si) | 极性 | NPN型 |
| 结构 | 平面型 | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 塑料封装 | ||
SYMBOL | PARAMETER | VALUE | UNIT |
VCBO | Collector-Base Voltage | (450) | V |
VCEO | Collector-Emitter Voltage | 300 | V |
VEBO | Emitter-Base Voltage | 6 | V |
VZ | Zener Voltage | 300 | V |
IC | Collector Current-Continuous | 6 | A |
IB | Base Current-Continuous | 2.5 | A |
PC | Collector Power Dissipation@ TC=25℃ | 40 | W |
TJ | JunctionTemperature | 150 | ℃ |
Tstg | StorageTemperature Range | -40~150 | ℃ |
SYMBOL | PARAMETER | CONDITIONS | MIN | TYP. | MAX | UNIT |
VZ | Zener Voltage | IZ= 0.1mA | 300 |
| 450 | V |
V(BR)EBO | Emitter-BaseBreakdownVoltage | IE= 150mA; IC= 0 | 6 |
|
| V |
VCE(sat) | Collector-Emitter Saturation Voltage | IC= 4A; IB= 15mA |
|
| 1.5 | V |
VBE(sat) | Base-Emitter Saturation Voltage | IC= 4A; IB= 15mA |
|
| 2.0 | V |
ICBO | Collector Cutoff Current | VCB= 300V; IE= 0 |
|
| 0.1 | mA |
IEBO | Emitter Cutoff Current | VEB= 6V; IC=0 |
|
| 150 | mA |
hFE | DC Current Gain | IC= 4A; VCE= 2V | 500 |
|
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型号:咨询厂家
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型号:430cm*227cm*247cm
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