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无锡固电ISC高压复合晶体管BU941P

无锡固电ISC高压复合晶体管BU941P

型号： BU941P
品牌：ISC/ISCSEMI
价格：≥10：6.00元/PCS
产能：大量供应
起订：1
交货期：7天
发布：无锡固电半导体股份有限公司
联系人：缪俊炎员
主营：三极管
电话：8651085346680/853469
手机：15961889158
地址：中国江苏无锡市新区新梅路68号
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产品详情

是否提供加工	是		ISC/ISCSEMI
型号	BU941P	应用范围	复合
材料	硅(Si)	极性	NPN型
结构	平面型	封装形式	TO-3PN
封装材料	塑料封装

DESCRIPTION

·High Voltage

·DARLINGTON

APPLICATIONS

·High ruggedness electronic ignitions

·High voltage ignition coil driver

Absolute maximum ratings (T_a=25℃)

SYMBOL	PARAMETER	VALUE	UNIT
V_CBO	Collector-Base Voltage	500	V
V_CEO	Collector-Emitter Voltage	400	V
V_EBO	Emitter-Base Voltage	5	V
I_C	Collector Current- Continuous	15	A
I_CM	Collector Current-Peak	30	A
I_B	Base Current	1	A
I_BM	Base Current-Peak	5	A
P_C	Collector Power Dissipation @T_C=25℃	155	W
T_j	Junction Temperature	175	℃
T_stg	StorageTemperature Range	-65~175	℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃unless otherwise specified

SYMBOL	PARAMETER	CONDITIONS	MIN	TYP	MAX	UNIT
V_CEO(SUS)	Collector-Emitter Sustaining Voltage	I_C= 0.1A; I_B= 0;L= 10mH	400			V
V_CE₍_sat)-1	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= 8 A; I_B= 100mA			1.6	V
V_CE₍_sat)-2	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= 10 A; I_B= 250mA			1.8	V
V_CE₍_sat)-3	Collector-Emitter Saturation Voltage	I_C= 12 A; I_B= 300mA			2.0	V
V_BE₍_sat)-1	Base-Emitter Saturation Voltage	I_C= 8 A; I_B= 100mA			2.2	V
V_BE₍_sat)-2	Base-Emitter Saturation Voltage	I_C= 10 A; I_B= 250mA			2.5	V
V_BE₍_sat)-3	Base-Emitter Saturation Voltage	I_C= 12 A; I_B= 300mA			2.7	V
I_CES	Collector Cutoff Current	V_CE= 500V;V_BE= 0 V_CE= 500V;V_BE= 0;T_j= 125℃			0.1 0.5	mA
I_CEO	Collector Cutoff Current	V_CE= 450V; I_B= 0 V_CE= 450V; I_B= 0;T_j= 125℃			0.1 0.5	mA
I_EBO	Emitter Cutoff Current	V_EB= 5V; I_C= 0			20	mA
h_FE	DC Current Gain	I_C= ; V_CE= 10V	300
V_ECF	C-E Diode Forward Voltage	I_F= 10A			2.5	V

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