2019年资本支出降低 NAND Flash产能过剩
更新：2019-01-14
DRAM eXchange调查指出，2018年因供过于求难以遏制，韩国供应商带头降低资本支出，NAND Flash总体资本支出下调近10%，但仍无法翻转供需失衡情形，2019年转为美国厂商减少资本支出，使得NAND Flash整体资本支出较2018年持续下滑约2%，总支出规模约为220亿美元。
受到供应商调整扩产计划影响，尽管各供应商已于2018年第四季起产92/96层3DNAND，但直至2019年底将仅占约32%单位产出，而64/72层的产出占比仍有逾50%，供应商放缓制程的推进，造成2019年NANDFlash单位成长将仅约38%，相比2018年逾45%水准明显下降。
观察各供应商产能调整，DRAM eXchange指出，三星持续减产2DNAND产能，加上92层制程消耗更多的厂房空间，2019年运转产能将较2018年底下调，单位产出成长率降至约35%，由于三星市占率约3成，三星位元产出成长率的放缓对产出成长影响较大；SK海力士、东芝/威腾分别有M15以及Fab6的新厂扩建，但同样受到减产计划或转产旧制程的影响，产出年成长率有机会低于原先预期，SK海力士和东芝/威腾原先单位产出成长率预估值分别约为50%与40%水准，但DRAMeXchange预期会各自下修到50%以下，以及约35%的水位，以反映今年市场需求的急冻；美光的新加坡新厂则要等到2020年才正式产，因此全年产能几乎维持不变；英特尔则除了填满大连厂产能，并无宣布其他扩产规划，美光与英特尔阵营2019年整体单位产出成长接近40%水准，相较2018年45%以上的成长幅度明显收敛。
从2019年NAND Flash价格走势来看，DRAM eXchange指出，由于原厂在各产品线的合约价报价跌幅，皆明显高于原先的预期，显示原厂正面临庞大的库存压力。
因此，NAND Flash2019年*季市场均价季度跌幅度可能从原先估计的10%，一举提高至20%水准，第二季报价可能将续跌将近15%，下半年虽有旺季需求帮助，跌幅可望略微收敛，但各季价格跌幅仍将维持在10%左右水准，端看原厂们是否能再进一步降低自身产出水位。