后期还有不少提升空间的集成电路

2018年前三季度中国集成电路产销售收入为4461.5亿元，同比增长22.45%。其中，设计为1791.4亿元，同比增长22.0%；制造1147.3亿元，同比增长27.6%；封测1522.8亿元，同比增长19.1%。一些重点产品领域我国取得突破性进展。

   产链整体提升

   关键产品取得突破

   服务器CPU方面，天津海光研发的兼容X86服务器CPU流片成功并进入小批产，性能指标达到国外同类产品的水平。天津飞腾研发的FT系列兼容ARM指令服务器CPU继续进步。上海澜起科技的“津逮”兼容X86服务器CPU完成研发和产化，即将进入产。桌面计算机CPU方面，兆芯今年推出国内*支持DDR4的CPU产品ZX-D，包含4核心和8核心两个版本，性能明显改善，推出的4核心ZX-ECPU主频达到2.4GHz，已经装备到笔记本电脑，装备台式机的8核心ZX-ECPU主频达到2.7GHz，装备服务器的8核心ZX-ECPU主频达到3.0GHz。手机芯片方面，海思推出*产的7nm手机芯片麒麟980。

   以往我国晶圆制造技术距离先进水平约有二代左右的差距，装备、材料上的差距更大，但是经过这些年的追赶，已经有了较大幅度的提高，形成了适合自身的技术体系，建立了相对完整的产链，产生态和竞争力得到完善和提升。芯片制造方面，目前已建成12英寸生产线10条，并有多条12英寸生产线处于建设当中，65nm、40nm、28nm工艺实现产，中芯14nm工艺取得突破，试产良率从3%提升到95%。芯片封测方面，部分企在高端封装技术上已达到先进水平。长电科技实现了高集成度和高精度SiP模组的大规模产，通富微电率先实现7nmFC产品产，华天科技开发了0.25mm超薄指纹封装工艺，实现了射频产品4GPA的产。集成电路设备方面，中微半导体自主研制的5纳米等离子体刻蚀机通过台积电验证，性能良，将用于首条5纳米制程生产线。集成电路材料方面，第三代集成电路碳化硅材料项目及成套工艺生产线已正式开建。200mm硅片产品品显著提升，高品抛光片、外延片开始进入市场；300mm硅片产化技术取得突破，90—65nm产品通过用户评估，开始批销售。测射耙材及超高纯金属材料取得整体性突破，形成相对完整的耙材产品体系。

   产投入保持增长

   2019年发展后劲较强

   尽管取得一定的成绩，但是我国集成电路距离先进水平差距依然很大，发展面临一系列挑战。首先，提供的产品仍然远远无法满足市场需求，特别是微处理器、存储器等高端芯片领域，仍在呼唤我国企的创新成果。其次，总体技术路线尚未摆脱跟随策略，跟在别人后面亦步亦趋的状况没有根本改变，产品创新能力有待提高。IC设计公司依靠工艺和EDA工具进步实现产品升级换代的现象尚无改观，能够自已根据工艺自行定义设计流程，并采用COT设计方法进行产品开发的企仍然是凤毛麟角。再次，在CPU等高端通用芯片领域，由于差距较大，尚无法与主要玩家同台竞争，不得不将主攻方向转向特定市场。*是人才极度匮乏的状况没有改观。根据《中国集成电路产人才白皮书（2017-2018）》，截止到2017年年底，我国集成电路行从人员规模在40万人左右。到2020年前后，我国集成电路行人才需求规模约为72万人左右，人才缺口将达到32万人。而未来两年，我国高校能够培养出来的毕生总数大概只有3.5万人。