内存芯片自主力量要崛起--亮相美国
更新：2018-08-13
中国半导体企清华紫光推出自主研发的内存芯片，将在美国硅谷公开。中美贸易战之下，中国半导体企宣布进军市场。
据韩国《朝鲜日报》网站8月7日报道，据悉，清华紫光的子公司长江存储（YMTC）从8月7日（当地时间）出席美国《美国的快闪记忆体高峰会（FlashMemorySummit）》，公开32层、64层3DNAND。YMTC的CEO杨士宁7日作主旨演讲，介绍新产品。
中国产NAND将提高产
报道称，YMTC此次公开的NAND当中，32层产品将于下半年进入试产阶段。目前三星和SK海力士生产的是96层、72层产品。半导体界认为，企技术水平上，韩国比中国3年。
报道称，YMTC透露，新产品使用的是3DNAND架构创新技术Xtacking，有效提高了数据处理速度。
报道称，YMTC计划先在位于武汉的工厂进行生产，后将在南京建厂，从明年开始提高产。中国的NAND进入市场已成为不可阻挡的趋势，市场调查机构预测认为，NAND价格到明年将持续下降。
报道称，中国政府为2025年内存半导体自给率提高至70%，已投入资金达1000亿美元。
报道称，界人士表示：“中国企先攻占电脑等低价产品市场，日后将进入服务器等高价产品市场。”
韩企积极扩大投资留住人才
报道称，韩国两大半导体生产商三星电子和SK海力士为应对中国企的崛起，正积极扩大投资规模和努力留住人才。三星电子在京畿道平泽半导体工厂开始建第二生产线，计划投资30兆韩币（约为1825亿元人民币）。SK海力士也决定在京畿道利川新建M16工厂，计划投资15兆韩元（约为914亿元人民币）。
报道称，韩国企也积极开展留住人才的工作，这是为了阻止中国企以天文数字年薪挖走韩国企半导体人才。近日，三星显示器起诉中国BOE子公司挖走的员工，韩国水原地方法院对该员工判转职禁止处分，如有违背，向三星显示器每天交纳1000万韩币（约为6万元人民币）。